Koreli araştırmacılar, yarı iletkenlerdeki “gizli kusurları” mevcut tekniklere göre yaklaşık 1.000 kat daha yüksek hassasiyetle tespit edebilen yeni bir analiz yöntemi geliştirdi. Elektronik tuzaklar olarak bilinen bu kusurlar, bellek yongaları ve güneş pilleri gibi cihazlarda kullanılan malzemelerde elektrik akımının akışını bozabilen görünmez düzensizliklerdir.
Güneş pili kusurları için yeni tespit yöntemi
Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü (KAIST) araştırmacılarına göre, bu kusur kaynaklarının hassas bir şekilde belirlenmesi, mühendislerin performans düşüşünü daha iyi anlamalarını sağlar. Bu teknoloji, tasarım ve test sırasında daha doğru kusur analizi sağlayarak yarı iletken verimliliğini ve çalışma ömrünü iyileştirirken, geliştirme süresini ve maliyetlerini de azaltabilir.
Yarı iletkenler, bellek yongaları ve güneş pilleri gibi cihazlarda kullanılan temel malzemelerdir. Ancak bu malzemelerin içinde, “gizli kusurlar” veya elektronik tuzaklar olarak bilinen görünmez kusurlar bulunabilir. Bu kusurlar elektronları yakalar ve hareketlerini engeller, elektriğin düzgün akmasını önler. Bu olduğunda, cihazlarda kaçak akımlar, verimlilikte azalma ve genel performansta düşüş görülebilir.
[bkz url= https://www.techinside.com/polonya-elektrik-sebekesi-saldirilarini-onledi/]
Yeni geliştirilen ölçüm tekniği, iki kritik faktörü aynı anda analiz edebiliyor: elektrik akımını engelleyen elektronik tuzaklar ve elektronlar gibi yük taşıyıcılarının yarı iletken içindeki hareketi. Bu birleşik bakış açısı, araştırmacıların kusurların malzeme içindeki elektriksel iletimi nasıl etkilediğini daha iyi anlamalarını sağlıyor.
Mühendisler, mevcut tuzak sayısını ve elektron yakalama gücünü doğru bir şekilde ölçerek yarı iletken kalitesini daha hassas bir şekilde değerlendirebiliyorlar. Araştırmacılar, bu yaklaşımın daha iyi performans gösteren ve daha uzun ömürlü yarı iletken cihazlara yol açabileceğini, aynı zamanda kusurların kesin kaynaklarını belirlemeyi kolaylaştırarak geliştirme süresini ve maliyetlerini azaltabileceğini söylüyor.
KAIST Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bölümü’nden Profesör Byungha Shin, yaptığı açıklamada: “Bu çalışma, tek bir ölçüm kullanarak yarı iletkenler içindeki elektriksel iletimi ve onu engelleyen faktörleri aynı anda analiz etmeyi sağlayan yeni bir yöntem sunuyor” dedi.
Araştırmacılar, yaklaşımlarını, elektrik ve manyetik alanlar altında yarı iletkenler içinde elektronların nasıl hareket ettiğini incelemek için iyi bilinen bir yöntem olan Hall ölçümleri etrafında geliştirdiler. Bu tekniğin ortaya çıkarabileceklerini genişletmek için, ölçümler sırasında kontrollü ışık maruziyeti ve sıcaklık değişiklikleri uyguladılar. Bu değişiklik, geleneksel Hall ölçümlerinin yakalayamadığı elektriksel davranışları gözlemlemelerine olanak sağladı.
