Site icon TechInside

TSMC, 2nm üretim süreciyle iddialı geliyor! İşte özellikler

TSMC, yeni nesil 2nm (N2) üretim sürecini detaylandırarak yarı iletken sektöründe büyük bir sıçramayı temsil eden yeniliklerini duyurdu. IEEE Uluslararası Elektronik Cihazlar Toplantısı’nda (IEDM) paylaşılan bilgilere göre, 2025’in ikinci yarısında seri üretime geçmesi beklenen bu süreç, performans ve enerji verimliliği açısından dikkat çekici avantajlar sunuyor. N2 teknolojisi, %15 daha yüksek işlem performansı, %30 daha düşük enerji tüketimi ve %15 daha fazla transistör yoğunluğuyla mevcut teknolojilerin çok ötesinde bir iyileşme vadediyor.

TSMC, 2nm üretim süreciyle iddialı gelecek

Bu süreçte, TSMC’nin FinFET teknolojisinden nanosheet tabanlı “gate-all-around” (GAA) transistörlere geçişi dikkat çekiyor. GAA nanosheet transistörler, silikon tabakalarının ince şeritler halinde istiflenmesiyle oluşturuluyor ve bu tasarım, daha hassas akım kontrolü sağlarken üretim süreçlerini özelleştirme esnekliği sunuyor. Özellikle SRAM teknolojisinde, N2’nin şimdiye kadar geliştirilmiş en yoğun SRAM hücresine sahip olduğu belirtiliyor. Bu yoğunluk artışı, işlemcilerin performansını ve enerji verimliliğini daha da ileri taşıyarak TSMC’nin sektördeki lider konumunu güçlendirecek.

N2 süreci, Apple, Nvidia ve AMD gibi büyük isimlerin ürünlerinde kullanılmaya başlanacak ve TSMC için önemli bir rekabet avantajı oluşturacak. Ancak, bu yeniliklerin maliyeti oldukça yüksek olacak. N2 wafer fiyatlarının 25.000-30.000 dolar arasında olması bekleniyor ki bu, 3nm sürecine göre %10’dan fazla bir artış anlamına geliyor. Özellikle üretim başlangıcında verim oranlarının düşük olması ve deneme maliyetleri nedeniyle yeni sürecin endüstri genelinde benimsenmesi zaman alabilir.

Bu süreçte TSMC’nin karşısında Intel ve Samsung gibi güçlü rakipler de bulunuyor. Intel, daha şimdiden kapı uzunluğunu 6 nanometreye kadar düşüren ve sadece 3 nanometre kalınlığında nanosheet transistörler geliştiren çalışmalarıyla dikkat çekiyor. Intel’in Foundry Başkan Yardımcısı Sanjay Natarajan’ın “Henüz teknolojik bir tıkanma noktasına ulaşmadık” açıklaması, nanosheet mimarisi üzerine daha pek çok yeniliğin geleceğinin habercisi. Öte yandan, Samsung da 2025 yılında kendi nanosheet teknolojisiyle seri üretime geçmeye hazırlanıyor. Bu durum, üç dev arasında rekabeti daha da kızıştıracak.

TSMC, N2 teknolojisiyle enerji verimliliği ve performans açısından sektörde çıtayı yükseltirken, Intel ve Samsung’un yenilikçi yaklaşımı, rekabetin gelecekte daha da yoğun olacağını gösteriyor. Yarı iletken teknolojisi, hem maliyet hem de teknik ilerleme bakımından yeni bir döneme girmiş durumda ve bu durum, tüketiciler ve endüstri için çok daha güçlü ve verimli cihazların önünü açacak gibi görünüyor.

Exit mobile version