Intel, Moore Yasası’nın devamını ve evrimini vurgulayarak şirketin gelecekteki yol haritası için zengin bir yenilikler dizisini sürdüren teknik atılımları açıkladı. 2023 IEEE Uluslararası Elektron Cihazları Toplantısı’nda (IEDM) Intel araştırmacıları, arka taraf gücü ve doğrudan arka taraf kontakları ile birlikte 3D itifli CMOS (tamamlayıcı metal oksit yarı iletken) transistörlerdeki gelişmeleri sergiledi. Şirket ayrıca arka taraf kontakları gibi arka taraf güç dağıtımına yönelik son Ar-Ge atılımları için ölçeklendirme yolları hakkında bilgi verdi. Çip devi ayrıca silikon transistörlerin galyum nitrür (GaN) transistörlerle paket olarak sunumu yerine aynı 300 milimetrelik (mm) silikon devre levhası (wafer) üzerinde başarılı bir şekilde büyük ölçekli 3D monolitik entegrasyonunu gösteren ilk şirket oldu.
Arka taraf güç dağıtımı, güç kaynağı hatlarının geleneksel ön taraf yerine yarı iletken bir çipin veya entegre devrenin (IC) arka tarafına yönlendirilmesi tekniğini ifade eder. Bu yaklaşım devre üzerindeki mantık yoğunluğunu artırır ve güç ve performansı iyileştirir. Bu bağlamdaTransistör ölçeklendirmesi ve arka taraf gücü, daha güçlü bilgi işlem için katlanarak artan talebi karşılamaya yardımcı olmanın anahtarıdır.
Intel, her yıl artan bilgi işlem talebini karşılayacak inovasyonlarının yarı iletken endüstrisini beslemeye devam edeceğini söylüyor. Bu bağlamda yenilikleriyle çığır açma ve Moore Yasası’nın temel taşı olmaya devam etme iddiasındaki çip devi, Bileşen Araştırma grubu vasıtasıyla transistörleri istifleyerek mühendisliğin sınırlarını sürekli olarak zorlamakta. Intel daha fazla transistör ölçeklendirmesi ve gelişmiş performans sağlamak için arka taraf güç dağıtımını bir sonraki seviyeye taşımaya kararlı gözüküyor. Şirketin sürekli ölçeklendirme konusundaki yenilikçiliğini vurgulayan son süreç teknolojisi ve yol haritası duyuruları olarak ise PowerVia arka güç dağıtımı, gelişmiş paketleme için cam alt tabakalar ve Foveros Direct öne çıkan sunumlar oldu.
IEDM 2023’te Intel tarafından sunulan Components Research, daha yüksek performans elde ederken silikon üzerine daha fazla transistör koymanın yeni yollarını geliştirme konusundaki kararlılığını gösterdi. Araştırmacılar, transistörleri verimli bir şekilde istifleyerek ölçeklendirmeye devam etmek için gerekli temel Ar-Ge alanlarını belirlediler. Arka taraf gücü ve arka taraf kontakları ile birlikte bunlar, transistör mimarisi teknolojisinde ileriye doğru atılacak önemli adımlar olacaktır. Arka taraf güç dağıtımının iyileştirilmesi ve yeni 2D kanal malzemelerinin kullanılmasının yanı sıra Intel, Moore Yasasını 2030 yılına kadar bir pakette bir trilyon transistöre genişletmek için çalışıyor.
Intel’in IEDM 2023’te sunulan en son transistör araştırması, sektörde bir ilki gösteriyor: 60 nanometreye (nm) kadar ölçeklendirilmiş tamamlayıcı alan etkili transistörleri (CFET) dikey olarak istifleme yeteneği. Bu yaklaşım, transistörleri istifleyerek alan verimliliği ve performans avantajları sağlar. Ayrıca arka taraf gücü ve doğrudan arka taraf kontakları ile birleştirilmiştir. Bu yeni çözüm, Intel’in transistörler alanındaki liderliğinin pekiştirecek ve şirketin RibbonFET’in ötesinde yenilikler yapma becerisini sergileyerek rekabette öne geçmesini sağlayacak gibi gözüküyor.
Intel, dört yıl içinde beş düğümün ötesine geçmeyi ve arka taraf güç dağıtımıyla transistör ölçeklendirmesini sürdürmeyi hedefliyor.
