Samsung veri depolama ürün portföyünü bir adım öteye taşıyarak 256Gb V-NAND üretmeye başladı. Samsung 256Gb V-NAND ürünü ile iş piyasasını hedef alıyor.
256Gb V-NAND tasarım süreci bitti
Samsung Electronics, beşinci nesil V-NAND bellek çipinin seri üretimine başladı. 256Gb V-NAND, Toggle DDR 4.0 arayüzünün kullanımı sayesinde 1.4Gbps’lik veri aktarım hızı sunuyor. Yeni bellek çipi, çalışma gerilimi ise 64 tabakalı selefi ile 1.8 volttan 1.2 volta düşürüldü. Okuma-sinyali yanıt süresi 50 mikrosaniye düşürülürken, 500 mikrosaniyelik yazma hızına ulaşıldı.
V-NAND, dikey olarak delinmiş mikroskobik kanal deliklerine sahip bir piramidin içinde istiflenmiş 90 tabaka 3D yük yakalama flaşı (CTF) hücresine sahiptir. Bu yüz nanometre çapında kanal delikleri, her biri 3 biti saklayabilen 85 milyar CTF hücresi içerir.
[bkz url=https://www.techinside.com/verisini-paylasan-surucu-ucuz-yakit-alacak/]
Hücre tabakasının yüksekliğinin yüzde 20 azalmasıyla da daha küçük alanda, daha düşük gerilimle çalışan ve daha az ısınan bir bellek çipi elde edildi. Samsung, 1-terabit (Tb) ve dört aşamalı hücre (QLC) seçenekleri de sunmayı hedefliyor.
Güney Koreli teknoloji devi, rakipleri SK Hynix, Toshiba ve Micron’un önünde 90 katmanlı bir V-NAND’ı piyasaya süren ilk şirket oldu. Rakipleri ise şimdiye kadar en çok 72 katman sunabilmişti. Samsung’un yeni V-NAND serisi özellikle iş piyasasına yönelik önemli kolaylıklar sunacak.
